Режимы работы маломощных светодиодов и их взаимосвязь

СД на основе гетероструктур заняли прочные позиции в осветительной технике и широко применяются в многоцветных информационных экранах. При этом, наряду с другими преимуществами, отмечается меньший нагрев полупроводниковых источников света в рабочих режимах по сравнению с многими традиционными.

Однако это не совсем так, поскольку потребитель СД ориентируется на температуру их корпуса и редко – на температуру кристалла. Между тем температура активной области СД структур может достигать 120 оС и выше.

Целью работы «Взаимосвязь температурных и электрических режимов маломощных высокоэффективных светодиодов» коллектива авторов в составе: Варламов Дмитрий Олегович, Маняхин Фёдор Иванович, Скворцов Аркадий Алексеевич были отработка динамического экспресс-метода измерения температурных режимов СД, используемых в осветительном оборудовании и СД экранах, и создание физико-математических моделей для анализа экспериментальных результатов.

В задачи работы входили: измерение температуры активной области СД с разной технологической структурой – гомопереходов и гетеропереходов – в широком диапазоне значений постоянного прямого тока с использованием нового, динамического метода; теоретический анализ экспериментальных результатов с использованием модели вольт-амперной характеристики, разработанной в работе; моделирование параметров, характеризующих зависимость температуры активной области от электрических режимов p–n-структур для практического применения при проектировании светотехнических устройств и СД   экранов.

Исследователями применён новый, динамический метод измерения температуры перегрева активной области p–n-структур при заданном прямом токе, основанный на регистрации переходных процессов изменения прямого напряжения при разогреве заданным током и остывании после отключения разогревающего тока при фиксированном малом прямом токе.

Получена формула для расчёта коэффициента пропорциональности температурной зависимости прямого напряжения для диодов с разной технологической структурой, учитывающая измерительный ток. Получены экспериментальные зависимости температуры активной области СД от разогревающего тока.

Проведено моделирование коэффициента пропорциональности температурной зависимости прямого напряжения при разных значениях измерительного тока для конкретных СД. Показано, что активная область СД на основе широкозонных полупроводников при плотностях тока, когда нарушается экспоненциальность вольт-амперной характеристики, перегревается из-за образования в ней горячих носителей заряда, взаимодействующих с оптическими фононами.

Полученные результаты измерения температуры активной области у СД использованного типа на основе широкозонных полупроводников значительно выше опубликованных ранее в аналогичных работах, что нужно учитывать при анализе тепловых режимов и прогнозировании срока службы СД при проведении их ускоренных испытаний. Использованный метод оперативен и пригоден в проектировании и конструировании светотехнического оборудования и СД экранов для выбора эффективных систем теплоотвода.

Возврат к списку


https://ahoj.stikesalifah.ac.id/pages/slot-depo-5000/http://ahoj.stikesalifah.ac.id/dana-resmi/https://dedikasi.lp4mstikeskhg.org/slot-dana-depo10k/https://mata.pulaumorotaikab.go.id/public/images/file/1711212514temp.htmlhttps://mata.pulaumorotaikab.go.id/public/images/avatar/1710788275avatar.htmlhttps://alwasilahlilhasanah.ac.id/starlight-princess-1000/https://ahoj.stikesalifah.ac.id/demo/https://www.sa-ijas.org/sweet-bonanza/https://www.remap.ugto.mx/pages/slot-luar-negeri-winrate-tertinggi/https://seer.anafe.org.br/pages/akun-pro-kamboja/https://sipusli.mojokertokab.go.id/upload/~/akun-pro-kamboja/https://bumdesjanjimanahansil.padanglawasutarakab.go.id/products/mpo/https://siduta.dukcapil.baritoselatankab.go.id/assets/idn/https://perizinan.jambikota.go.id/frontend/web/situs-gacor/https://revistas.uia.ac.cr/pages/products/sigmaslot/https://disbudpar.padanglawasutarakab.go.id/assets/https://bumdesjanjimanahansil.padanglawasutarakab.go.id/pt2/https://dedikasi.lp4mstikeskhg.org/docs/https://dedikasi.lp4mstikeskhg.org/slot-deposit-pulsa-tanpa-potongan/https://setwan.katingankab.go.id/asset/slot-dana/https://perizinan.jambikota.go.id/frontend/web/situs-pulsa/https://unsimar.ac.id/akun-pro-kamboja/https://catalog.ndp.utah.edu/uploads/user/2024-03-27-205738.327672mahjong2ways.html/https://mbkm.umkendari.ac.id/images/sgacor/https://beasiswa.umkendari.ac.id/application/https://fkip.umkendari.ac.id/assets/pulsa/https://bumdesjanjimanahansil.padanglawasutarakab.go.id/Assets/https://revistas.uroosevelt.edu.pe/public/https://civitic.indoamerica.edu.ec/gates-of-olympus/https://csecity.indoamerica.edu.ec/wp-content/mahjong-ways-2/https://newmalestudies.com/OJS/starlight-princess/https://newmalestudies.com/OJS/slot-depo-10k-qris/https://alwasilahlilhasanah.ac.id/demo-olympus/https://section.iaesonline.com/slot-gacor-maxwin/