Влиянию температурных режимов на параметры светодиодов (СД) посвящено немало публикаций. В одних внимание акцентируется на внутреннем и внешнем квантовых выходах, в других – на зависимости прямого напряжения от температуры. Относительно меньшая доля публикаций посвящена влиянию температурных режимов на скорость деградации указанных параметров и спектральные характеристики.
Если говорить о температурной зависимости прямого напряжения СД, то нужно отметить, что, как правило, задают и контролируют прямой ток СД. Прямое напряжение на СД зависит от температуры практически линейно с отрицательным коэффициентом пропорциональности. Прямое напряжение – наиболее термочувствительный параметр, который достаточно просто и точно поддаётся измерению и теоретическому описанию и потому представляет интерес для использования при измерении температуры активной области p–n-структур и для использования последних в качестве термочувствительных элементов.
В работе «Измерение температуры активной области светодиодов средней мощности по динамике изменения прямого напряжения при токовом нагреве и охлаждении» авторов Маняхина Ф.И., Варламова Д.О., Скворцова А.А. , Мокрецова Л.О. и Николаева В. К., проведён краткий анализ наиболее распространенных неразрушающих методов измерения температуры активной области светодиодов (CД) и указаны их недостатки.
Проведены измерения температуры активной области светодиодов средней мощности по динамике изменения прямого напряжения при нагреве токами разной плотности и в процессе остывания в режиме протекания малого, так называемого «измерительного», тока, не вызывающего разогрев СД.
Результаты измерений показывают, что тепловое сопротивление СД, определяемое по результатам измерения температуры активной области предлагаемым методом, больше справочного.
В исследовании апробирован модернизированный метод измерения температуры непосредственно активной области мощных СД, основанного на регистрации динамики изменения прямого напряжения при импульсном нагреве прямым током и последующем остывании СД при малом токе экспоненциального участка ВАХ, при котором измеряется температура перегрева активной области.