Журнал «Светотехника» №3 2024

Дата публикации 13/06/2024
Страница 35-39

Неразрушающий метод измерения профиля легирования активной области p-n структуры светодиодных кристаллов и устройство для его реализации «Светотехника», 2024, №3

Авторы статьи:

Маняхин Фёдор Иванович, Варламов Дмитрий Олегович, Мокрецова Людмила Олеговна, Скворцов Аркадий Алексеевич

Маняхин Фёдор Иванович, доктор физ.-мат. наук, профессор. Окончил в 1973 г, МИЭМ. Профессор Московского политехнического университета. Автор и соавтор более 180 публикаций. Награждён грамотой Минобрнауки РФ, лауреат конкурса «Золотые имена высшей школы 2018» в номинации «За вклад в науку и высшее образование». Область научных интересов: полупроводниковая электроника, физика полупроводниковых приборов

Варламов Дмитрий Олегович, инженер. Окончил в 2005 г. МГТУ «МАМИ». Старший преподаватель кафедры «Электрооборудование и промышленная электроника» Московского политехнического университета. Автор и соавтор более 40 публикаций. Область научных интересов: микроконтроллерные системы, светодиоды

Мокрецова Людмила Олеговна, кандидат техн. наук, доцент. Окончила в 1978 г. Московский институт стали и сплавов (МИСиС). Доцент кафедры «Автоматизированное проектирование и дизайн» НИТУ «МИСиС». Лауреат конкурса «Золотые имена высшей школы 2018» в номинации «За внедрение инновационных методик преподавания». Область научных интересов: трёхмерное моделирование в световом дизайне

Скворцов Аркадий Алексеевич, доктор физ.-мат. наук. Зав. кафедрой Московского политехнического университета. Автор и соавтор более 150 научных статей и монографий по полупроводниковому материаловедению и проблемам деградации систем металлизации и контактов в структурах микро- и наноэлектроники

Аннотация

Разработано и изготовлено измерительное компьютеризированное устройство для неразрушающего измерения распределения концентрации электрически активной примеси в p–n-структурах. Измерение распределения концентрации осуществляется по регистрации значений барьерной ёмкости при воздействии на исследуемую структуру малого двухчастотного сигнала. Устройство позволяет исследовать профиль концентрации p–n-структур в области расположения квантовых ям с разрешением по глубине до 3–4 атомных слоёв в диапазоне изменения ширины области пространственного заряда под воздействием постоянного напряжения смещения. Обработка результатов измерения и управление измерительным устройством осуществляется микроконтроллером.

Список использованной литературы

Список литературы депонирован в редакции журнала

Ключевые слова

Выберите вариант доступа к этой статье

Купить

Рекомендуемые статьи

Измерение температуры активной области светодиодов средней мощности по динамике изменения прямого напряжения при токовом нагреве и охлаждении «Светотехника», 2023, №4

Физико-математическая модель зависимости внутренней квантовой эффективности светодиодов с квантовыми ямами от тока «СВЕТОТЕХНИКА», 2020, № 5

Закономерность снижения квантового выхода светодиодов с квантовыми ямами при длительном протекании тока с позиции модели АВС «СВЕТОТЕХНИКА», 2021, № 3

Смотреть все статьи