Новые технологии и новые источники света позволяют создавать принципиально новые подходы в проектировании и конструировании световых приборов. Светоизлучающие диоды (СД) – это сравнительно новый, перспективный и энергоэкономичный источник света (ИС), обладающий рядом уникальных свойств: большим сроком службы, высокой световой отдачей, эстетичностью, экологичностью, надёжностью, высокой прочностью, позволяющий без сложностей создать разнообразные спектры излучения. При разработке осветительных приборов удобно применять математические аппроксимации спектральных распределений применяемых СД в составе изделия для расчёта итогового спектра излучения прибора в видимом диапазоне. Данные методы расчёта особенно интересны в архитектурном освещении (АО), а также применимы для разработки современных светодиодных тепличных облучателей. В статье рассмотрены два основных метода аппроксимации спектров излучения цветных СД: по симметричному и асимметричному распределению. Были проведены измерения спектральных распределений четырёх основных типов СД, которые применяются при конструировании световых приборов на основе цветных СД: красного (red), янтарного (amber), зелёного (green) и синего (blue) в широком диапазоне токов от 100 до 1000 мА. Также было проведено сравнение результатов с моделью, учитывающей двумерную плотность состояний и флуктуации потенциала в активной области гетероструктуры СД. На основе проведённых измерений и расчётов был определён оптимальный метод аппроксимации по асимметричному спектральному распределению излучения СД.
1. Ohno, Y. Color Rendering and Luminous Efficacy of White LED Spectra // Fourth International Conference on Solid State Lighting, edited by Ian T. Ferguson, Nadarajah Narendran, Steven P. DenBaars, John C. Carrano, Proc. of SPIE, 2004, Vol. 5530.
2. Делян Р.А. Исследование параметров и характеристик белых светоизлучающих диодов и осветительных приборов на их основе в системах динамичного освещения // Магистерская диссертация ФГБОУ ВО «НИУ «МЭИ». – 2014 г.
3. Бадгутдинов М.Л., Юнович А.Э. Спектры излучения гетроструктур с квантовыми ямами типа InGaN/AlGaN/GaN: модель двумерной комбинированной плотности состояний // ФТП. –2008. – Т 42. – № 4. – С. 438–446.
4. Волков В.В., Коган Л.М., Туркин А.Н., Юнович А.Э. Спектры люминесценции мощных светодиодов на основе нитрида галлия в ультрафиолетовой и фиолетовой области спектра // ФТП. – 2018. – Т 52. – № 10. – С. 1172–1176.
5. Варданян Б.Р., Юнович А.Э. Фотолюминесценция легированных множественных квантовых ям GaAs/AlGaAs при высоком уровне возбуждения // ФТП. – 1995. – Т 29. – № 11. – С. 1976–1986.
5. Chingolani, R., Stolz, W., Ploog, K. Electronic states and optical transitions in modulation-doped n-type GaxIn1-xAs/AlxIn1-xAs multiple quantum wells // Phys. Rev. B, 1989, Vol. 40, # 5, pp. 2950–2955.
7. Золина К.Г., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э. Спектры люминесценции голубых и зелёных светодиодов на основе многослойных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами // ФТП. – 1997. – Т 31. – № 9. – С. 1055–1061.
8. Ерохин М.М., Камшилов П.В., Терехов В.Г., Туркин А.Н. Исследование характеристик светодиодов для фитооблучателей // Светотехника. – 2019. – № 5. – С. 42–48.

• Предыдущая статья
• Следующая статья

• светодиод
• спектр
• аппроксимация
• пиковая длина волны
• полуширина спектра
• координаты цветности