3.2.1. Hurni, C. A., David, A., Cich, M. J., Aldaz, R. I., Ellis, B., Huang, K., Tyagi, A., DeLille, R. A., Craven, M.D., Steranka, F. M., and Krames, M.R., «Bulk GaN flip-chip light-emitting diodes with optimized efficiency for high-power operation,» Appl. Phys. Lett. 106, 031101 (2015)]
3.2.2. Cree’s MK-R LED Offers up to 200 Lumen-Per-Watt. LED professional Review 35, 2013, 6.
3.2.3. R.D. Dupuis, M.R. Krames. History, Development, and Applications of High-Brightness Visible Light-Emitting Diodes J. of Lightwave Technology, 26, (2008), 1154.
3.2.4. Department of Energy. Solid State Lighting Research and Development Plan, June2016 URL: https://www.energy.gov/eere/ssl/downloads/solid-state-lighting‑2016-rd-plan
3.2.5. E. Fred Schubert and Jong Kyu Kim // Solid-State Light Sources Getting Smart. Science 308 (5726), (2005), pp. 1274–1278.
3.2.6. Юнович А.Э. Светодиоды как основа освещения будущего. Светотехника, 2003, N3, с. 2–7
3.2.7. Юнович А.Э. Светодиоды и перспективы их применения в освещении. В книге «Светодиоды и их применение для освещения ». Глава 1, стр. 5–29; М., «Знак», 2012, 280 с., ISBN978– 5–87789–070–1.
3.2.8. H. Amano, Y. Robin, S.Y. Bae, K. Nagamatsu, M. Kushimoto, M. Deki, T. Nishitani, D. Sato, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, and M. Pristovsek. Development of Sustainable Smart Society via Transformative Electronics. URL: http://www.iumrs-icam2017.org/schedule/files/plenary_1.pdf
3.2.9. «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» URL: http://nitrides-conf.ioffe.ru/
3.2.10. А. Берг, П. Дин. Светодиоды. Под ред.А.Э. Юновича «Мир», М., 1979 г, 686 с.
3.2.11. Л.М. Коган Полупроводниковые светоизлучающие диоды. М.: Энергоиздат, 1983
3.2.12. A. Zukauskas, M. Shur, R. Gaska. Introduction to Solid-State Lighting. John Wiley and Sons Inc. New-York 2002;
3.2.13. А.Э. Юнович. Свет из гетеропереходов. Природа № 6, 2001, c. 38
3.2.14. M. Shur, A. Zukauskus. Toward Superior Illumination. Proceedings of the IEEE v.93, No 10 (2005) 1691
3.2.15. M.R. Krames, O.B. Shchekin, R. Mueller-Mach, G.O. Mueller, L. Zhou, G. Harbers and M.G. Craford. Status and Future of High-Power Light-Emitting Diodes for Solid-State Lighting. J. of Display Technology 3 (2), 2007, p.160
3.2.16. Фред Е. Шуберт. Светодиоды. Пер.с англ. под ред.А.Э. Юновича. Москва, Физматлит 2008;
3.2.17. S. Pimputkar, J.S. Speck, S.P. DenBaars, and S. Nakamura, «Prospects for LED lighting,» Nature Photonics 3(4), (2009) 180–182;
3.2.18. LEDs for Lighting Applications. Edited by Patrick Mottier Wiley-ISTE, 2010, 304 p.
3.2.19. S.T. Tan, X.W. Sun, H.V. Demir, and S.P. DenBaars, «Advances in the LED Materials and Architectures for Energy-Saving Solid-State Lighting Toward «Lighting Revolution»,» IEEE Photonics J. 4(2), (2012) 613–619
3.2.20. А.Л. Закгейм, Ю.П. Яковлев. Светодиоды: история и перспективы. Сб. «Петербургская-Ленинградская школа электроники », СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2013. 658
3.2.21. А.Л. Закгейм. Светодиодные системы освещения: энергоэффективность, зрительное восприятие, безопасность для здоровья человека. Светотехника, № 6 (2012) c. 12 3.2.22. А.Э. Юнович. Свет настоящего и будущего. Наука и жизнь № 4, 2015, с. 53. 3.2.23. J.Y. Tsao, M.H. Crawford, M.E. Coltrin, A.J. Fischer, D.D. Koleske, G.S. Subramania, G.T. Wang, J.J. Wierer, and R.F. Karlicek. Toward Smart and Ultra-efficient Solid-State Lighting. Adv. Optical Mater. 2014, 2, 809–836
3.2.24. Round H.J. A Note on Carborundum // ElectricalWorld. 1907. V. 49. 308
3.2.25. Losev O.V. Telegrafi ya i Telefoniya bez Provodov 44, (1927)485–494
3.2.26. Losev O.V. Soviet patent 12191 (1929)
3.2.27. N. Holonyak, S. Bevacqua. Coherent (visible) light emission from Ga (As1-x Px) junctions. Appl.Phys.Lett.v.1, No.4 (1962), 82
3.2.28. А.Э. Юнович «Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлия». В сб. «Излучательная рекомбинация в полупроводниках. Изд. «Наука». М., 1972, с. 224–304.
3.2.29. W.D. van Driel, X.J. Fan. Solid State Lighting Reliability. Springer New York Heidelberg Dordrecht London 2013
3.2.30. Ж.И. Алфёров. Двойные гетероструктуры: концепция и применения в физике, электронике и технологии. Успехи физических наук, том 172, № 9, 2002, 1068
3.2.31. M.R. Krames, M. Ochiai-Holcomb, G.E. Hofler, C. Carter-Coman, E.I. Chen N.F. Gardner, S.A. Stockman, F.A. Kish, M.G. raford. High-power truncated-inverted-pyramid (AlxGa1-x)0.5In0.5P/GaP light emitting diodes exhibiting >50 % external quantum efficiency. Appl. Phys. Lett. 75, 16 (1999), 2365
3.2.32. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, В.Р, Ларионов, П.П. Пашинин, А.М. Прохоров, В.Л. Румянцев, В.М. Тучкевич, М.М. Халеев. Модель полупроводниковой накачки YAG: Nd лазера на основе плоских светодиодов в системе AlAs-GaAs. ЖТФ т. 45, № 2 (1975);
3.2.33. А.Л. Закгейм, В.М. Марахонов, Ю.М. Макушенко, Р.П. Сейсян. Повышение мощности ОКГ на основе АИГ: Nd с полупроводниковой системой накачки. Письма в ЖТФ т. 4, № 12 (1978)
3.2.34. H.P. Maruska, I. Tiejine. The Preparation and Properties of Vapor-Deposited Single-Crystal Ga N. Applied Physics Letters 15 (1969), 327
3.2.35. Akasaki I. Nitride semiconductors – impact on the future world // J. Cryst. Growth. 2002. V. 237–239.
3.2.36. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama. High-power single-quantum-well structure blue and violet light-emitting diodes. Appl. Phys. Lett. 67, 13, (1995) 1868
3.2.37. Nakamura S, Fasol G. The blue laser diode: GaN Based Light Emitters and Lasers. Springer, Berlin. (1997), 343
3.2.38. M. Kneissl, J. Rass. III-Nitride Ultraviolet Emitters: Technology and Applications. Springer Series in Materials Science Vol. 227 https://www.ifkp.tu-berlin.de/?id=agkneissl
3.2.39. M. Shatalov, J. Zhang, A.S. Chitnis, V. Adivarahan, J. Yang, G. Simin, and M. Khan. Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Using Quaternary AlInGaN Multiple Quantum Wells. IEEE Journal on selected topics in quantum electronics, vol. 8, No. 2, March/April 2002, p.302
3.2.40. Sh. Inoue, N. Tamari, and M. Taniguchi. 150 mW deep-ultraviolet light-emitting diodes with large-area AlN nanophotonic light-extraction structure emitting at 265nm. APPLIED PHYSICS LETTERS110, 141106 (2017)
3.2.41. D. Liu,1, S. June Cho, J. Park, et al. 226 nm AlGaN/AlN UV LEDs using p-type Si for hole injection and UV Reflection. APPLIED PHYSICS LETTERS113, 011111 (2018)
3.2.42. S. Yu. Karpov. Light-emitting diodes for solid-state lighting: searching room for improvements. Light-Emitting Diodes: Materials, Devices, and Applications for Solid State Lighting XX, Proc. SPIE9768, 97680C (2016)]
3.2.43. Ж.И. Алфёров, Р.Ф. Казаринов. Полупроводниковый лазер с электрической накачкой. Авт.свид. СССР № 181737. Заявлено 30.03.63 г.;
3.2.44. Ж.И. Алфёров, В.Б. Халфин, Р.Ф. Казаринов. Об одной особенности инжекции в гетеропереходе. ФТТ 8,10, (1966), 3102;
3.2.45. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Е.Л. Портной, А.А. Яковенко. Источники спонтанного излучения на основе структур с гетеропереходами в системе AlAs-GaAs. ФТП, 3, 930 (1969)
3.2.46. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, В.Д. Румянцев. 100 %-й внутренний квантовый выход излучательной рекомбинации в трехслойных гетеросветодиодах на основе системы AlAs-GaAs. ФТП, т. 9, № 3, (1975), с. 462.
3.2.47. Ж.И. Алфёров, В.Г. Агафонов, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк и др. Многопроходные гетероструктуры. 2. Внешний квантовый выход излучения. ФТП, т. 10, № 8, (1976), с. 1497
3.2.48. I. Shnitzer et.al. Ultrahigh spontaneous emission quantum efficiency, 99.7 % internally and 72 % externally, from AlGaAs/GaAs/AlGaAs double heterostructure. Appl.Phys.Lett.v.62, (1993), 131
3.2.49. S. Chichibu, T. Sota, K. Wada, Sh. Nakamura. Exiton localization in InGaN quantum well devices. J Vac.Sci.Technology B16(4) (1998), 2204–2214
3.2.50. А.С. Павлюченко, И.В. Рожанский, Д.А. Закгейм. Проявление инжекционного механизма падения эффективности светодиодов на основе AlInGaN в температурной зависимости внешнего квантового выхода. Физика и техника полупроводников, 2009, том 43, вып. 10, с. 1391;
3.2.51. J. Cho, E.F. Schubert, and J.K. Kim. Efficiency droop in light-emitting diodes: Challenges and countermeasures. Laser Photonics Rev. 7, No. 3, (2013) 408–421
3.2.52. S. Yu. Karpov. ABC–Model for Interpretation of Internal Quantum Efficiency and Its Droop in III-Nitride LEDs: A Review Opt. Quantum Electron. 47, No 6, 1293–1303 (2015)]
3.2.53. D.A. Zakheim, A.S. Pavluchenko, D.A. Bauman, K.A. Bulashevich, O.V. Khokhlev, and S. Yu. Karpov. Efficiency droop suppression in InGaN-based blue LEDs: Experiment and numerical modeling. Phys. Status Solidi A 209, No. 3, (2012) 456–460
3.2.54. A.I. Zhmakin. Enhancement of light extraction from light emitting diodes. Physics Reports 498 (2011) 189–241
3.2.55. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, В.Р. Ларионов, В.Д. Румянцев. Высокоэффективный быстродействующий AlxGa1-xAs светодиод. ФТП, т. 19, № 7, (1975), с. 1265
3.2.56. В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, Б.В. Егоров, Б.В. Пушный. Мощные светодиоды на основе многопроходных гетероструктур в системе AlAs-GaAs. ЖТФ, т. 47, № 8, (1977), с. 1778
3.2.57. Ж.И. Алфёров, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, В.Р Ларионов. Исследование преобразователей излучения на основе гетероструктур в системе AlAs-GaAs. ЖТФ т. 47, № 8 (1977), с. 1765
3.2.58. С.А. Бондарь, Н.В. Брагин, В.В. Лебедев, В.П. Сушков, Н.А. Тупицкая. Фотоэлектролюминисцентные (ФЭЛ) диоды. Письма в ЖТФ, 1979, т. 5, № 4, с. 217
3.2.59. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, Б.В. Пушный. Гетеросветодиод с внешним квантовым выходом ηe =40 % (300К). Письма в ЖТФ, т. 3, № 14(1977), с. 809
3.2.60. А.Л. Закгейм, В.М. Марахонов, Л.П. Першина, Р.П. Сейсян. Мощные AlGaAs гетероэпитаксиальные излучающие диоды многомезовой конструкции. Письма в ЖТФ т. 6, № 17, (1980), с. 1034]
3.2.61. E.F. Schubert. Y.-H. Wang, A.Y. Cho, L.-W. Tu, and G.J. Zydzik. Resonant cavity light-emitting diode. Appl. Phys. Lett. 60 (8), 24 February (1992), 92;
3.2.62. F.A. Kish, F.M. Steranka, D.C. DeFevere, D.A. Vanderwater et.al. Very high efficiency semiconductor wafer-bonded transparent substrate (AlxGa1-x)0.5In0.5P/GaP light-emitting diodes. Appl. Phys.Lett. 64, № 21, (1994), 2839
3.2.63. P. Pust, P. Schmidt, W. Schnick. A revolution in lighting. Nature Materials, May14(5), 2015, 454
3.2.64. Марков Л.К., Смирнова И.П., Павлюченко А.С., Кукушкин М.В., Закгейм Д.А., Павлов С.И. Применение двухслойных плёнок ITO в составе отражающих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов. ФТП, т. 48, вып. 12, (2014) с. 129–134
3.2.65. Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева, Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. Высокомощные синие флип-чип светодиоды на основе AlGaInN, ФТП, 39(7), (2005) 885;
3.2.66. O.B. Shchekin, J.E. Epler, T.A. Trottier, T. Margalith, D.A. Steigerwald, M.O. Holcomb, P.S. Martin, and M.R. Krames. High performance thin-film flip-chip InGaN–GaN light-emitting diodes.Appl.Phys.Lett. 89, 2006, 071109
3.2.67. J. Carey. New LED architectures and phosphor technologies lower costs and boost quality. LEDsmagazine.com September 2014, p.67
3.2.68. B. Hahn, B. Galler, and K. Engl. Development of high-efficiency and high-power vertical light emitting diodes. Jpn. J. Appl. Phys. 53, (2014) 100208
3.2.69. A. Laubsch, A., Sabathil, M., Baur, J., Peter, M. and Hahn, B. High-Power and High-Efficiency InGaN-Based Light Emitters,» IEEE Trans. Electron. Devices 59, (2010) 79–87
3.2.70. OSRAM Opto Semiconductors, Data Sheets LE B Q9WP https://www.osram.com/os/products/index.jsp
3.2.71. J.J. Wierer Jr, A. David & M.M. Megens. III-nitride photonic-crystal light-emitting diodes with high extraction efficiency Nature Photonics, Vol. 3, March 2009, p. 163.
3.2.72. URL: http://www.seoulsemicon.com/ WICOP/WICOP_en.asp
3.2.73. J. Petroski. Electronic Cooling. Thermal Challenges in LED Cooling URL: https://www.electronics-cooling.com/2006/11/thermal-challenges-in-led-cooling/
3.2.74. D. Cox. Solid State Lighting Science & LED Theory of Operation. URL: https://www.slideshare.net/davidiancox/solid-state-lighting-science-and-led-theory-of-operation-december‑2010
3.2.75. В.А. Абрамов, О.Н. Ермаков, В.П. Сушков. Способ изготовления многоэлементных полупроводниковых источников света. А.с. СССР № 635813 Приор. 09.12.1977 г.
3.2.76. Bowers M.J., McBride J.R., Rosenthal S.J. White-light emission from magic-sized cadmium selenide nanocrystals // J. Amer. Chem.Soc. Vol. 127, No. 44.– 2005. – P. 15378–1537
3.2.77. А.В. Аладов, А.Л. Закгейм, А.Е. Черняков. Светодиодное музейное освещение: возвращение к естественному свету. Cветотехника № 5, Спецвыпуск «Свет в музее», 2018, с. 56–61
3.2.78. A. Zukauskas, R. Vaicekauskas, F. Ivanauskas, R. Gaska, M.S. Shur. Optimization of white polychromatic semiconductor lamps// Appl. Phys. Lett. 80 (2002), 234;
3.2.79. A. Zukauskas., R. Vaicekauskas, M.S. Shur. Colour-rendition properties of solid-state Lamps. Journal of Physics D: Applied Physics 43 (2010) 354006
3.2.80. Y. Ohno. Spectral design considerations for white LED color rendering. Optical Engineering 44(11), November 2005, 111302
3.2.81. S. Chhajed, Y. Xi, Y.-L. Li, Th. Gessmann, E.F. Schubert. Influence of junction temperature on chromaticity and color-rendering properties of trichromatic white-light sources based on light-emitting diodes. Journal of Applied Physics 97, (2005) 054506
3.2.82. Аладов А.В., Бирючинский С.Б., Валюхов В.П., Закгейм А.Л., Тальнишних Н.А., Черняков А.Е. Динамически управляемая система освещения светодиодами с широким диапазоном цветовых температур (2800–10000 K) и высоким качеством цветопередачи (Ra > 90)// Светотехника, № 6 (2016), c. 19–25;
3.2.83. А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Н.В. Крыжановская, М.А. Синицын, В.С. Сизов, А.Л. Закгейм, М.Н. Мизеров. Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделённых короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешётками. Физика и техника полупроводников, том 44, вып. 6. (2010), c. 837
3.2.84. A. Yadav, I.E. Titkov, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, Gr.S. Sokolovskii, A.F. Tsatsulnikov and E.U. Rafailov. Di-Chromatic InGaN Based Color Tuneable Monolithic LED with High Color Rendering Index. Appl. Sci. 8, 2018, 1158
3.2.85. Solid State Lighting Reliability. Editors W.D. van Driel & X.J. Fan. Springer New York Heidelberg, Dordrecht, London Science+Business Media, LLC2013, 617 p.
3.2.86. А.В. Аладов, А.Л. Закгейм, М.Н. Мизеров, А.Е. Черняков. Полихромные спектрально-перестраиваемые полупроводниковые источники света: опыт разработки и применения // Светотехника.– 2013.– № 5–6. C. 34–40.
3.2.87. А.В. Аладов, С.Б. Бирючинский, В.П. Валюхов, А.Л. Закгейм, Н.А. Тальнишних, А.Е. Черняков. Светодиодная динамически управляемая система освещения с широким диапазоном цветовых температур (Tц = 2800–10000 К) при высоком индексе цветопередачи (Ra >90) // Светотехника.– 2016 – № 6. C. 19–25.
3.2.88. URL: https://www.philips.com.au/c-p/8718291547778/hue-personal-wireless-lighting
3.2.89. Lumileds, Data Sheets LUXEON Rebel DS64 https://www.lumileds.com/uploads/28/DS64-pdf
3.2.90. OSRAM Opto Semiconductors, Data Sheets LE B Q9WP URL: https://www.osram.com/os/products/index.jsp
3.2.91. ООО «Архилайт» http://arhilight.ru/
3.2.92. Thermal Management for LED Applications. Editirs C. Lasance, A. Poppe. Springer NewYork Heidelberg Dordrecht London, 2014, 551 p.
3.2.93. A. Poppe. Thermal Characterization Confirms Real-World LED Performance. URL: http://s3.mentor.com/public_documents/whitepaper/resources/mentorpaper_59097.pdf
3.2.94. А.Л. Закгейм, Г.Л. Курышев, М.Н. Мизеров, В.Г. Половинкин, И.В. Рожанский, А.Е. Черняков. Исследование тепловых процессов в мощных InGaN/GaN флип-чип светодиодах с использованием инфракрасной тепловизионной микроскопии. ФТП, том 44, вып. 3 (2010), с. 390–396
3.2.95. V. Székely and T.V. Bien, «Fine structure of heat flow path in semiconductor devices: a measurement and identification method, » Solid-StateElectronics 31(9), (1988)1363–1368
3.2.96. A. Poppe. Determine LED temperature effects for reliable SSL products. LEDs Magazine. – No.73, October 2014. – P. 63
3.2.97. T3Ster–Thermal Transient Tester, accessed on Feb. 2, 2016. URL: http://www.mentor.com/micred
3.2.98. M. Meneghini, L.-R. Trevisanello, F. de Zuani, N. Trivellin, G. Meneghesso, and E. Zanoni, Proc. SPIE (2009) 7422, 74220H
3.2.99. J.M. Phillips, M.E. Coltrin, M.H. Crawford, A.J. Fischer, M.R. Krames, R. Mueller-Mach, G.O. Mueller, Y. Ohno, L.E.S. Rohwer, J.A. Simmons, and J.Y. Tsao, Laser Photon. Rev. 1, (2007) 307.
3.2.100. L. Lyons. LED-based products must meet photobiological safety standards: parts 1,2,3 // LEDs Magazine. No. 46(2011), P. 31; No. 47 (2011) P. 65; No. 49(2012), P. 63;
3.2.101. D.M. Berson, F.A. Dunn, M. Takao. Phototransduction by Retinal Ganglion Cells That Set the Circadian Clock. Science 295, (2002), 1070
3.2.102. A. Wojtysiak, OSRAM, SSL R&D Workshop, San Francisco, CA, January 2015. URL: https://www.energy.gov/sites/prod/files/2015/02/f19/wojtysiak_physiological_sanfrancisco2015.pdf
3.2.103. В.Н. Анисимов. Мелатонин роль в организме, применение в клинике. Русский медицинский журнал, 2006. Т. 14, № 4, С. 269–273.
3.2.104. А.В. Аладов, А.Л. Закгейм, М.Н. Мизеров, А.Е. Черняков. О биологическом эквиваленте излучения светодиодных и ламповых источников освещения с цветовыми температурами в диапазоне Tс = 1800–10000K// Светотехника.– 2012.– № 3. – C.7–10
3.2.105. П.П. Зак, М.А. Островский. Потенциальная опасность освещения светодиодами для глаз детей и подростков. // Светотехника.– 2012.– № 3. – C.4–6
3.2.106. Energy Savings Forecast of Solid-State Lighting in General Illumination Applications, September 2016 https://www.energy.gov/sites/prod/files/2016/09/f33/energysavingsforecast16_2.pdf
3.2.107. А.В. Аладов, С.Б. Бирючинский, М.В. Дубина, А.Л. Закгейм, М.Н. Мизеров. Цветодинамически управляемый операционный светильник с полноцветным светодиодом. Светотехника, № 2 (2012), с. 13–18;
3.2.108. Мамошин А.В., Серёгина Е.С., Потапова Е.В., Шепелева А.И., Дунаев А.В., Альянов А.Л., Иванов А.Е., Аладов А.В. Оптимизация освещения операционного поля с помощью динамически управляемых полупроводниковых источников света. Фундаментальные и прикладные проблемы техники и технологии № 6(332), 2018, с. 119
3.2.109. R. Spivock, «Horticultural Lighting: DOE Emerging Trends,» DOE SSL R&D Workshop, San Francisco, CA, 27 January 2015. URL: http://www.energy.gov/sites/prod/files/2015/02/f19/spivock_horticultural-lighting_sanfrancisco2015.pdf
3.2.110. R. Kizer, A. Mantica, N. McNeill, J. Tobin and S. Jones. Li-Fi: An Overview, Part 1 – Purpose and Function. URL: https://internetinitiative.ieee.org/newsletter/june‑2018/li-fi-an-overview-part‑1-purpose-and-function
3.2.111. L.I. Albraheem, L.H. Alhudaithy, A.A. Aljaser, M.R. Aldhafian, and G.M. Bahliwah. Toward Designing a Li-Fi-Based Hierarchical IoT Architecture. IEEE Acces. August 2018. URL: https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=8413064
3.3.1. Tang C.W., Van Slyke S.A. Organic Electroluminescent Diodes // J. Applied Physics Letters.– 1987. – Vol. 51. – P. 913–915.
3.3.2. Mullen K., Scherf U. (Eds.) Organic Light Emitting Devices: Synthesis, Properties and Applications. – Weinheim: Wiley-VCH, 2006.– 426 p.
3.3.3. Le Z., Meng H. (Eds.) Organic Light Emitting Materials and Devices. – CRC Press, Taylor & Francis Group, 2007.
3.3.4. Хайнц Р. Органические светодиоды для дисплеев и освещения // Светотехника.– 2006.– № 5. – С. 43–47.
3.3.5. Кляйн М., Хойзер К. Освещение органическими светодиодами – свет, где его никогда ещё не было // Светотехника.– 2009.– № 3. – С. 15–23.
3.3.6. Светодиоды и их применение для освещения / Под общ. ред. Ю.Б. Айзенберга. – М.: Знак, 2012.
3.3.7. Bernanose A., Comte M., Vouaux P. A new method of light emission by certain organic compounds // J. Chem. Phys.– 1953. – Vol. 50. – P. 64–68.
3.3.8. Bernanose A., Vouaux P.J. Organic electroluminescence type of emission // J. Chem. Phys.– 1953. – Vol. 50. – P. 261.
3.3.9. Bernanose A. The mechanism of organic electroluminescence // J. Chem. Phys.– 1955. – Vol. 52. – P. 396.
3.3.10. Pope M., Kallmann H., Magnante P. Electroluminescence in organic crystals // J. Chem. Phys.– 1963. – Vol. 38. No.8. – P. 2042–2043.
3.3.11. Kallmann H., Pope M. Positive Hole Injection Into Organic Crystals // J. Chem. Phys.– 1960. – Vol. 32. – P. 300–301.
3.3.12. Kallmann H., Pope M. Bulk Conductivity in Organic Crystals // Nature.– 1960. – Vol. 31. – P. 186.
3.3.13. Sano M., Pope M., Kallmann H. Electroluminescence and Band Gap in Anthracene // J. Chem. Phys.– 1965. – Vol. 43, No. 8. – P. 2920
3.3.14. Helfrich W., Shneider W.G. Recombination radiation in anthracene crystal // Phys. Rev. Letters.– 1965. – Vol. 14, No. 7. – P. 229–231.
3.3.15. Burroughes J.H., Bradley D.D.C., Brown A.R., Marks R.N., Mackay K., Friend R.H., Burn P.L., Holmes A.B. Light-emitting diodes based on conjugated polymers // Nature.– 1990. – Vol. 347. – P. 539.
3.3.16. Baldo M.A. et al. Highly efficient phosphorescent emission from organic electroluminescent devices // Nature.– 1998. – Vol. 395. – P. 151–154.
3.3.17. Bardsley N., Ghaffarsadeh K. OLED Lighting Opportunities 2013–2023: Forecasts, Technologies, Players. – IDTechEx, 2013. URL: https://www.IDTechEx.com (дата обращения: 20.01.2019).
3.3.18. Das R., Harrop P. Printed, Organic & Flexible Electronics Forecasts, Players & Opportunities 2015–2025. – IDTechEx, 2015. URL: https://www.IDTechEx.com (дата обращения: 20.01.2019).
3.3.19. Tyan Y.-S. DOE Solid State Lighting R&D Workshop, February 2009.
3.3.20. Baldo M.A., Thompson M.E., Forrest S.R. High-efficiency fluorescent organic light-emitting devices using a phosphorescent sensitizer // Nature.– 2000. – Vol. 403. – P. 750–753.
3.3.21. Park J.-S. et al. Thin film encapsulation for flexible AMOLED // Semicond. Sci. Technol.– 2011. – Vol. 26, No. 3.
3.3.22. Kafafi Z.H. (Ed.) Organic Electroluminescence. – Taylor&Francis Group, 2005.
3.3.23. Kalinowski J. Organic Light Emitting Diodes. – Taylor&Francis Group, 2005.
3.3.24. Kalinowski J. Electroluminescence in organics // J. Phys. D: Appl. Phys.– 1999. – Vol. 32, Iss. 24. – P. R179–R250.
3.3.25. Lin T.-A. et al. Sky-Blue Organic Light Emitting Diode with 37 % External Quantum Efficiency Using Thermally Activated Delayed Fluorescence from Spiroacridine-Triazine Hybrid // Adv. Mater.– 2016. – Vol. 28. – P. 6976–6983.
3.3.26. URL: https://www.lgoledlight.com (дата обращения: 20.01.2019).
3.3.27. URL: https://www.oledworks.com (дата обращения: 20.01.2019).
3.4.1. Ультрафиолетовые технологии в современном мире: Коллективная монография / Под ред. Ф.В. Кармазинов, С.В. Костюченко, Н.Н. Кудрявцев, С.В. Храменков. –Долгопрудный: Издательский дом «Интеллект», 2012.
3.4.2. Уэймаус Д. Газоразрядные лампы. М.: Энергия. 1977. С 344.
3.4.3. Рохлин Г.Н. Разрядные источники света. – М.: Энергоатомиздат, 1991.– 720 с.
3.4.4. Миленин В.М., Тимофеев Н.А. Плазма газоразрядных источников света низкого давления. – Л.: Изд-во ЛГУ, 1991.– 240 с.
3.4.5. Васильев А.И., Василяк Л.М., Костюченко С.В., Кудрявцев Н.Н., Кузьменко М.Е., Печеркин В.Я. Влияние защитного слоя на длительность горения и излучение кварцевых газоразрядных ламп низкого давления // Письма в ЖТФ.– 2006. – Т. 32, Вып. 1. – С. 83–88.
3.4.6. Василяк Л.М., Дроздов Л.А., Костюченко С.В., Кудрявцев Н.Н., Соколов Д.В., Микаева С.А. Экспериментальные исследования генерации УФ излучения дуговым разрядом низкого давления // Инженерная физика.– 2008.– № 5. – С. 32–35.
3.4.7. Василяк Л.М., Дроздов Л.А., Соколов Д.В., Костюченко С.В., Кудрявцев Н.Н. Определяющие факторы ресурса бактерицидных ртутных ламп низкого давления // Светотехника.– 2008.– № 6. – С. 8–10.
3.4.8. Василяк Л.М., Васильев А.И., Дроздов Л.А, Костюченко С.В., Кудрявцев Н.Н., Соколов Д.В., Старцев А.Ю. Защитное покрытие лампы низкого давления с парами ртути как решающий фактор срока её службы // Прикладная физика.– 2009.– № 1. – С. 120–124.
3.4.9. Васильев А.И., Василяк Л.М., Костюченко С.С., Кудрявцев Н.Н., Соколов Д.В., Старцев А.Ю. Влияние пускового режима на срок службы электродов мощных амальгамных ламп низкого давления // Светотехника.– 2009.– № 1. – С. 4–9.
3.4.10. Василяк Л.М., Дроздов Л.А., Костюченко С.В., Кудрявцев Н.Н., Собур Д.А., Соколов Д.В. Влияние режимов работы газоразрядной амальгамной лампы низкого давления на интенсивность генерации вакуумного УФ излучения с длиной волны 185 нм // Прикладная физика.– 2010.– № 6. – С. 70–76.
3.4.11. Попов О.А. Безэлектродная индукционная лампа НД мощностью 300–450 Вт с двумя симметричными индукторами, работающая на частотах 130–400 кГц // Светотехника.– 2009.– № 6. – С. 68.
3.4.12. Васильев А.И, Костюченко С.В., Кудрявцев Н.Н., Собур Н.Н., Соколов Д.В. Технологии УФ обеззараживания для обработки воды, воздуха и поверхности // Светотехника.– 2017.– № 5. – С. 6–11.
3.4.13. Ван дер Меер М., Ван Лироп Ф., Соколов Д.В. К вопросу об эффективности современных амальгамных ламп низкого давления // Светотехника.– 2017.– № 6.
3.4.14. Мешков В.В. Осветительные установки. – М.: Госэнергоиздат, 1947.
3.4.15. Василяк Л.М., Дроздов Л.А., Костюченко С.В., Кудрявцев Н.Н., Собур Д.А., Соколов Д.В., Шунков Ю.Е. Методика измерения мощности УФ излучения трубчатых бактерицидных ламп низкого давления //Светотехника.– 2011.– № 1. – С. 29–32.
Подробнее